Транзисторы КТ817
Транзисторы КТ817 в Новосибирске

Транзисторы КТ817 в Нижнем Новгороде

2976 товаров
Вы выбрали: Транзисторы КТ817 x
Сбросить (2)

Биполярный транзистор, характеристики High voltage NPN Power Transistor, Vcbo=1500V, Ic=8A, Pc=35W (On-chip damper diode) Транзистор биполярный TT2222 NPN 1500V, 8A TO-220F

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 221 руб.
Биполярный транзистор, характеристики High voltage NPN Power Transistor, Vcbo=1500V, Ic=8A, Pc=35W (On-chip damper diode) Транзистор биполярный TT2222 NPN 1500V, 8A TO-220F

от 221 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

В комплекте 5 штук новых транзисторов СМД SOT-23 BC817-40 6C транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог BCW66H схема FMMT619 характеристики цоколевка datasheet FMMTA05 6С Характеристики транзистора ВС817-40 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряже...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 291 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов СМД SOT-23 BC817-40 6C транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог BCW66H схема FMMT619 характеристики цоколевка datasheet FMMTA05 6С Характеристики транзистора ВС817-40 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более:...

от 291 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC817-25 6B транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема BCW66 аналог FMMT620 характеристики цоколевка datasheet MOSFET ВС807-25 5В Характеристики транзистора BC817-25 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение ко...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 291 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC817-25 6B транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема BCW66 аналог FMMT620 характеристики цоколевка datasheet MOSFET ВС807-25 5В Характеристики транзистора BC817-25 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Н...

от 291 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Стабилитроны Д817А диффузионно-сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации напряжения. Тип стабилитрона приводится на корпусе. Корпус стабилитрона в рабочем режиме служит отрицательным электродом (катодом). Масса стабилитрона с комплектующими деталями не...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 79 руб.
Стабилитроны Д817А диффузионно-сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации напряжения. Тип стабилитрона приводится на корпусе. Корпус стабилитрона в рабочем режиме служит отрицательным электродом (катодом). Масса стабилитрона с комплектующими деталями не более 6 г. Технические условия...

от 79 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

PC817CN8 Оптопара транзисторная LTV-817S-TA1-C, Оптопара транзисторная, (=PC817), [DIP-4 SMD] OPTOCOUPLER 200-400%, SMD Корпус DIP4 Технические параметры Количество каналов 1 Напряжение изоляции (RMS), В 5000 Коэффициент передачи по току (Min), % 200 Коэффициент передач...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 360 руб.
PC817CN8 Оптопара транзисторная LTV-817S-TA1-C, Оптопара транзисторная, (=PC817), [DIP-4 SMD] OPTOCOUPLER 200-400%, SMD Корпус DIP4 Технические параметры Количество каналов 1 Напряжение изоляции (RMS), В 5000 Коэффициент передачи по току (Min), % 200 Коэффициент передачи по току (Max), % 400 Тип вхо...

от 360 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Количество каналов 1 Тип входа DC Тип выхода Транзистор Напряжение выхода, В 80 Выходной ток на канал, мА 50 Корпус DIP-4

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 229 руб.
Количество каналов 1 Тип входа DC Тип выхода Транзистор Напряжение выхода, В 80 Выходной ток на канал, мА 50 Корпус DIP-4

от 229 руб.

Посмотреть

предложения от 2 магазинов

Транзистор: КТ817А по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 149 руб.
Транзистор: КТ817А по выгодной цене

от 149 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 121 руб.
Тип: транзистор

от 121 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25 Гра...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 200 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25 Граничная частота коэффициента пе...

от 200 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 230 руб.
Тип: транзистор

от 230 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 220 руб.
Тип: транзистор

от 220 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 460 руб.
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 460 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Ма...

от 499 руб.
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодо...

от 499 руб.

Посмотреть

Тип: Электронные компоненты

от 365 руб.
Тип: Электронные компоненты

от 365 руб.

Посмотреть

Корпус DIP4, Тип выхода Транзистор, Количество выходов 1, Коммутируемое напряжение (макс) 35 В, Коммутируемый ток (макс) 50 мА, Напряжение изоляции 5 кВ. Технические параметры: Количество каналов - 1​ Напряжение изоляции (RMS), В 5000 ​Коэффициент передачи по току (Min)...

от 381 руб.
Корпус DIP4, Тип выхода Транзистор, Количество выходов 1, Коммутируемое напряжение (макс) 35 В, Коммутируемый ток (макс) 50 мА, Напряжение изоляции 5 кВ. Технические параметры: Количество каналов - 1​ Напряжение изоляции (RMS), В 5000 ​Коэффициент передачи по току (Min), % - 130 ​Коэффициент передач...

от 381 руб.

Посмотреть

В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 J3Y транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2N5830 схема MPS650G характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не боле...

1 1 отзыв
от 291 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 J3Y транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2N5830 схема MPS650G характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-баз...
1 отзыв

от 291 руб.

Посмотреть

Корпус DIP4, Тип выхода Транзистор, Количество выходов 1, Коммутируемое напряжение (макс) 35 В, Коммутируемый ток (макс) 50 мА, Напряжение изоляции 5 кВ. Технические параметры: Количество каналов - 1​ Напряжение изоляции (RMS), В 5000 ​Коэффициент передачи по току (Min)...

от 326 руб.
Корпус DIP4, Тип выхода Транзистор, Количество выходов 1, Коммутируемое напряжение (макс) 35 В, Коммутируемый ток (макс) 50 мА, Напряжение изоляции 5 кВ. Технические параметры: Количество каналов - 1​ Напряжение изоляции (RMS), В 5000 ​Коэффициент передачи по току (Min), % - 130 ​Коэффициент передач...

от 326 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макc...

от 385 руб.
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллек...

от 385 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ355А - это сверхвысокочастотные усилительные транзисторы с ненормированным коэффициентом шума, предназначенные для усиления и генерирования электрических сигналов в широком диапазоне частот. Они используются в электронной аппаратуре общего назначения и мар...

от 129 руб.
Транзисторы КТ355А - это сверхвысокочастотные усилительные транзисторы с ненормированным коэффициентом шума, предназначенные для усиления и генерирования электрических сигналов в широком диапазоне частот. Они используются в электронной аппаратуре общего назначения и маркируются цифро-буквенным кодом...

от 129 руб.

Посмотреть

Тип: Электронные компоненты

от 365 руб.
Тип: Электронные компоненты

от 365 руб.

Посмотреть

Тип: Электронные компоненты

от 480 руб.
Тип: Электронные компоненты

от 480 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор

от 419 руб.
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор

от 419 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор

от 459 руб.
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор

от 459 руб.

Посмотреть

Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

от 230 руб.
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 75 Граничная...

от 230 руб.

Посмотреть

Модуль защиты и гальванической развязки 2-х дискретных входов контроллера. Этот модуль применяют для согласования и защиты дискретных входов контроллера при подключении внешних датчиков, которые могут быть подвержены различного рода замыканиям, перенапряжениям, наводкам...

5 1 отзыв
от 317 руб.
Модуль защиты и гальванической развязки 2-х дискретных входов контроллера. Этот модуль применяют для согласования и защиты дискретных входов контроллера при подключении внешних датчиков, которые могут быть подвержены различного рода замыканиям, перенапряжениям, наводкам . Так же оптопары помогают со...
1 отзыв

от 317 руб.

Посмотреть

Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный...

5 1 отзыв
от 149 руб.
Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic)...
1 отзыв

от 149 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 230 руб.

Посмотреть

IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой тр...

5 6 отзывов
от 701 руб.
IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой транзистор управляет мощным бипо...
6 отзывов

от 701 руб.

Посмотреть

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC517 транзистор (5 шт.) TO92 аналог MPSA12 схема КТ645А характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС517 Характеристики транзистора BC517 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не бо...

от 291 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC517 транзистор (5 шт.) TO92 аналог MPSA12 схема КТ645А характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС517 Характеристики транзистора BC517 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-б...

от 291 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ9181А, TO-126, 5шт по выгодной цене

от 409 руб.
Транзисторы КТ9181А, TO-126, 5шт по выгодной цене

от 409 руб.

Посмотреть

К190КТ2П Микросхемы К190КТ2П представляют собой четырехканальный коммутатор (2x2) на 4 полевых транзисторах с изолированным затвором. Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в 14-выводном прямоугольном пластмассовом к...

от 495 руб.
К190КТ2П Микросхемы К190КТ2П представляют собой четырехканальный коммутатор (2x2) на 4 полевых транзисторах с изолированным затвором. Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в 14-выводном прямоугольном пластмассовом корпусе с выводами для монтажа...

от 495 руб.

Посмотреть

Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в мета...

от 550 руб.
Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибким...

от 550 руб.

Посмотреть

Модуль на базе MOSFET транзистора D4184 с опторазвязкой PC817. Отлично управляется любыми контроллерами типа Arduino и Arduino совместимыми благодаря управляющему напряжению DC от 3 до 5 вольт. Модуль поставляется в не распаянном виде в комплекте с двумя винтовыми клемм...

от 272 руб.
Модуль на базе MOSFET транзистора D4184 с опторазвязкой PC817. Отлично управляется любыми контроллерами типа Arduino и Arduino совместимыми благодаря управляющему напряжению DC от 3 до 5 вольт. Модуль поставляется в не распаянном виде в комплекте с двумя винтовыми клеммами. Характеристики: Управляющ...

от 272 руб.

Посмотреть

Модуль защиты и гальванической развязки 4-х дискретных входов контроллера. Этот модуль применяют для согласования и защиты дискретных входов контроллера при подключении внешних датчиков, которые могут быть подвержены различного рода замыканиям, перенапряжениям, наводкам...

от 397 руб.
Модуль защиты и гальванической развязки 4-х дискретных входов контроллера. Этот модуль применяют для согласования и защиты дискретных входов контроллера при подключении внешних датчиков, которые могут быть подвержены различного рода замыканиям, перенапряжениям, наводкам . Так же оптопары помогают со...

от 397 руб.

Посмотреть

Транзисторы 2Т371А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях сверхвысоких частот. Выпускаются в металлостеклокерамическом корпусе с гибкими полосковы...

от 499 руб.
Транзисторы 2Т371А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях сверхвысоких частот. Выпускаются в металлостеклокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. На крышке корпуса...

от 499 руб.

Посмотреть

Модуль на базе MOSFET транзистора FR120N с опторазвязкой PC817. Отлично управляется любыми контроллерами типа Arduino и Arduino совместимыми благодаря управляющему напряжению DC от 3 до 5 вольт. Модуль поставляется в комплекте с двумя клеммами. Характеристика: - С разде...

от 381 руб.
Модуль на базе MOSFET транзистора FR120N с опторазвязкой PC817. Отлично управляется любыми контроллерами типа Arduino и Arduino совместимыми благодаря управляющему напряжению DC от 3 до 5 вольт. Модуль поставляется в комплекте с двумя клеммами. Характеристика: - С разделительной изоляцией, контрольн...

от 381 руб.

Посмотреть

Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 75 мВт Максимальное напряжение: коллектор-база: 50 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Ток: коллектора обратный: не более 1 мкА Коэффициент: передачи тока ста...

от 260 руб.
Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 75 мВт Максимальное напряжение: коллектор-база: 50 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Ток: коллектора обратный: не более 1 мкА Коэффициент: передачи тока статический: 30-120 Частота: коэф...

от 260 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 5 шт

от 490 руб.
Количество в упаковке: 5 шт

от 490 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 5 шт

от 599 руб.
Количество в упаковке: 5 шт

от 599 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ502В (BC327,BC556), TO-92, 25шт количество в упаковке: 25 шт

от 599 руб.
Транзисторы КТ502В (BC327,BC556), TO-92, 25шт количество в упаковке: 25 шт

от 599 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ801А - это переключательные кремниевые радиодетали структуры n-p-n. Они предназначены для использования в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания и других радиотехнических и электронных устройствах. Транзисторы поставляются в м...

от 139 руб.
Транзисторы КТ801А - это переключательные кремниевые радиодетали структуры n-p-n. Они предназначены для использования в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания и других радиотехнических и электронных устройствах. Транзисторы поставляются в металлостеклянном корпусе с гиб...

от 139 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ805ВМ, TO-220, 5шт по выгодной цене

от 599 руб.
Транзисторы КТ805ВМ, TO-220, 5шт по выгодной цене

от 599 руб.

Посмотреть

Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...

от 186 руб.
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 ВМ...

от 186 руб.

Посмотреть

Основные технические параметры КТ858А: КТ858А Транзистор КТ858А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не боле...

от 310 руб.
Основные технические параметры КТ858А: КТ858А Транзистор КТ858А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не более 3 г. Основные технические ха...

от 310 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 5 шт

от 629 руб.
Количество в упаковке: 5 шт

от 629 руб.

Посмотреть

Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...

от 1 800 руб.
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип корп...

от 1 800 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 20 шт

от 599 руб.
Количество в упаковке: 20 шт

от 599 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ315И,КТ-13, 40шт по выгодной цене

от 599 руб.
Транзисторы КТ315И,КТ-13, 40шт по выгодной цене

от 599 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых транзисторов B772P транзистор (2 шт.) TO-126 аналог B772 схема 2SB743 характеристики цоколевка datasheet 2SB744 Характеристики транзистора B772P Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более...

от 296 руб.
В комплекте 2 штуки новых транзисторов B772P транзистор (2 шт.) TO-126 аналог B772 схема 2SB743 характеристики цоколевка datasheet 2SB744 Характеристики транзистора B772P Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-баз...

от 296 руб.

Посмотреть

Frequency - Transition 900MHz Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V Transistor Type NPN Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant Power - Max 2W DC Current Gain (hFE) (Min)@ Ic, Vce 25@ 150mA, 5V Current - Collector (Ic) (Max) 250mA Тип монтажа...

от 710 руб.
Frequency - Transition 900MHz Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V Transistor Type NPN Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant Power - Max 2W DC Current Gain (hFE) (Min)@ Ic, Vce 25@ 150mA, 5V Current - Collector (Ic) (Max) 250mA Тип монтажа Поверхностный Корпус (размер)...

от 710 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 639 руб.
Тип: транзистор

от 639 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 70 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр. МГц 20 Максимальная рассеиваемая мощ...

от 230 руб.
Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 70 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр. МГц 20 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 30 Корпус кт-28-2(то...

от 230 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ315Ж зелёные,КТ-13, 40шт по выгодной цене

от 692 руб.
Транзисторы КТ315Ж зелёные,КТ-13, 40шт по выгодной цене

от 692 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ8181А (MJE13005), TO-220, 5 шт по выгодной цене

от 420 руб.
Транзисторы КТ8181А (MJE13005), TO-220, 5 шт по выгодной цене

от 420 руб.

Посмотреть

Транзисторы КТ502В (BC327,BC556), TO-92, 25шт по выгодной цене

от 599 руб.
Транзисторы КТ502В (BC327,BC556), TO-92, 25шт по выгодной цене

от 599 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 599 руб.
Тип: транзистор

от 599 руб.

Посмотреть

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...

от 930 руб.
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – BC560 – 4 шт. • VT4, VT8, VT14,...

от 930 руб.

Посмотреть

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 25 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20…90...

от 230 руб.
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 25 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20…90 Граничная частота коэффициент...

от 230 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток откр...

от 338 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds) тип:...

от 338 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 5 шт

от 599 руб.
Количество в упаковке: 5 шт

от 599 руб.

Посмотреть

Транзисторы проверены на стенде. Партия 9202 Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15 Граничная частота коэффициента передачи т...

от 230 руб.
Транзисторы проверены на стенде. Партия 9202 Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр. МГц 20 Максимальная р...

от 230 руб.

Посмотреть

Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3 напряжение: 60 В ти...

от 179 руб.
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3 напряжение: 60 В тип: транзистор

от 179 руб.

Посмотреть

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

от 650 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара 2SC2774 и 2SA1170. Сборку осущ...

от 650 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 4 шт

от 529 руб.
Количество в упаковке: 4 шт

от 529 руб.

Посмотреть

Высокочастотный, кремниевый транзистор малой мощности 2SC945P. Аналог: NTE85, SK3124A. характеристики: Структура: n-p-n. Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В. Напряжение коллектор-база: 60 В. Напряжение эмиттер-база: 5 V. Ток коллектора: 0.1 А. Рассеиваемая мощность колле...

от 220 руб.
Высокочастотный, кремниевый транзистор малой мощности 2SC945P. Аналог: NTE85, SK3124A. характеристики: Структура: n-p-n. Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В. Напряжение коллектор-база: 60 В. Напряжение эмиттер-база: 5 V. Ток коллектора: 0.1 А. Рассеиваемая мощность коллектора: 0.25 Вт. Корпус: TO-92....

от 220 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 639 руб.
Тип: транзистор

от 639 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транз...

от 129 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 V Предельное постоя...

от 129 руб.

Посмотреть

N-channel Logic Level Enhancement mode OptiMOS Power-Transistor,Vds=55V, Id=30A, Rds(on)=35 mOhm, Ptot=68W

от 304 руб.
N-channel Logic Level Enhancement mode OptiMOS Power-Transistor,Vds=55V, Id=30A, Rds(on)=35 mOhm, Ptot=68W

от 304 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 35 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50…350...

от 230 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 35 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50…350 Граничная частота коэффициент...

от 230 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...

от 161 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 V Предельное посто...

от 161 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…50...

от 181 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…500 Граничная частота коэффициен...

от 181 руб.

Посмотреть

Транзистор 13003 в корпусе ТО-126 тип: транзистор

от 230 руб.
Транзистор 13003 в корпусе ТО-126 тип: транзистор

от 230 руб.

Посмотреть

Стабилитроны Д817Г диффузионно-сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации напряжения. Тип стабилитрона приводится на корпусе. Корпус стабилитрона в рабочем режиме служит отрицательным электродом (катодом). Масса стабилитрона с комплектующими деталями не...

от 230 руб.
Стабилитроны Д817Г диффузионно-сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации напряжения. Тип стабилитрона приводится на корпусе. Корпус стабилитрона в рабочем режиме служит отрицательным электродом (катодом). Масса стабилитрона с комплектующими деталями не более 6 г. Технические условия...

от 230 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 599 руб.
Тип: транзистор

от 599 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...

от 373 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Макс...

от 373 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...

от 230 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.8 A Ма...

от 230 руб.

Посмотреть

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 6...

от 230 руб.
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 63…160 Граничная частота коэффи...

от 230 руб.

Посмотреть

Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (...

от 230 руб.
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 230 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 230 руб.

Посмотреть

Модуль на базе MOSFET транзистора FR120N с опторазвязкой PC817. Отлично управляется любыми контроллерами типа Arduino и Arduino совместимыми благодаря управляющему напряжению DC от 3 до 5 вольт. Модуль поставляется в не распаянном виде в комплекте с двумя винтовыми клем...

от 285 руб.
Модуль на базе MOSFET транзистора FR120N с опторазвязкой PC817. Отлично управляется любыми контроллерами типа Arduino и Arduino совместимыми благодаря управляющему напряжению DC от 3 до 5 вольт. Модуль поставляется в не распаянном виде в комплекте с двумя винтовыми клеммами. Характеристики: Управляю...

от 285 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 230 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 5 шт

от 669 руб.
Количество в упаковке: 5 шт

от 669 руб.

Посмотреть

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...

от 1 679 руб.
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – BC560 – 4 шт. • VT4, VT8, VT14,...

от 1 679 руб.

Посмотреть

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=40V, Id=8A, N-channel: Rds(on)=33 mOhm, Pd=20W, P-channel: Rds(on)=50 mOhm, Pd=30W количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 254 руб.
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=40V, Id=8A, N-channel: Rds(on)=33 mOhm, Pd=20W, P-channel: Rds(on)=50 mOhm, Pd=30W количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 254 руб.

Посмотреть

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=60V, Id=75A, Pd=150W, Rds(on)=13 mOhm

от 251 руб.
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=60V, Id=75A, Pd=150W, Rds(on)=13 mOhm

от 251 руб.

Посмотреть

Конфигурация: p-n-p Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Максимальный ток: коллектора импульсный: 200 мА Максимальное напряжение: коллектор-эмиттер: 20 В Максимальное напряжение: коллектор-база: 25 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Мощность: рассеи...

от 224 руб.
Конфигурация: p-n-p Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Максимальный ток: коллектора импульсный: 200 мА Максимальное напряжение: коллектор-эмиттер: 20 В Максимальное напряжение: коллектор-база: 25 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Мощность: рассеиваемая макс 300 мВт Коэффициен...

от 224 руб.

Посмотреть

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc, max 350mW Ucb, max 50V Uce, max 45V Ueb, max 5V Ic, max 100mA Tj, max 150єC Ft, max 300MHz Cctip, pF 4 Hfe 110MIN Производитель CDIL Caps TO236 Применение Low Power, General Purpose Аналоги: BFS36, 2N1964, BC547A,...

от 230 руб.
Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc, max 350mW Ucb, max 50V Uce, max 45V Ueb, max 5V Ic, max 100mA Tj, max 150єC Ft, max 300MHz Cctip, pF 4 Hfe 110MIN Производитель CDIL Caps TO236 Применение Low Power, General Purpose Аналоги: BFS36, 2N1964, BC547A, KT3130A9, KT3130A, КТ3139А ти...

от 230 руб.

Посмотреть

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor Vds=40V,n-channel:Id=6A,Rds(on)=31 mOhm,p-channel:Id=5A,Rds(on)=45 mOhm,Pd=2W

от 212 руб.
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor Vds=40V,n-channel:Id=6A,Rds(on)=31 mOhm,p-channel:Id=5A,Rds(on)=45 mOhm,Pd=2W

от 212 руб.

Посмотреть

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40…...

от 280 руб.
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40…100 Граничная частота коэффици...

от 280 руб.

Посмотреть

Плата без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...

от 690 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопровождения. тип: Электронные комп...

от 690 руб.

Посмотреть

Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор

от 459 руб.
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор

от 459 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 94 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоя...

от 371 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 94 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Макси...

от 371 руб.

Посмотреть

Платы без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...

от 1 300 руб.
Платы без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопровождения. тип: Электронные комп...

от 1 300 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 70 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 70 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40...

от 230 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 70 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 70 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40 Граничная частота коэффициента...

от 230 руб.

Посмотреть

Тип: Электронные компоненты

от 433 руб.
Тип: Электронные компоненты

от 433 руб.

Посмотреть

NPN power transistors 32V, 4A, 36W, 3MHz

от 211 руб.
NPN power transistors 32V, 4A, 36W, 3MHz

от 211 руб.

Посмотреть

ЯВИТРИНА предлагает большой выбор транзисторов кт817 в Нижнем Новгороде по низким ценам. Мы отобрали для вас самые лучшие предложения, акции и скидки интернет-магазинов в одном месте! 2976 товаров товаров по цене от 79 до 1800. На сайте представлено описание и характеристики товаров. Также вы можете почитать отзывы о товаре, ознакомиться с условиями доставки и покупки товара в кредит.
Новые категории
Может быть интересно
Почитайте отзывы покупателей на товары
Отзывы на электронные модули Отзывы на электронные модули стиральных машин Отзывы на регулятор мощности, напряжения переменного тока gsmin ak76 (220в, 50-220в, 2000w) диммер (зеленый)